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口頭

Nitridation-induced degradation of SiC (1-100) MOS devices

小林 拓真*; 中沼 貴澄*; 鈴木 亜沙人*; 染谷 満*; 岡本 光央*; 吉越 章隆; 志村 考功*; 渡部 平司*

no journal, , 

(1-100)m面などの非基底面上に作製したSiC MOSFETでは、窒化により高いチャネル移動度($$sim$$100cm$$^{2}$$V$$^{-1}$$s$$^{-1}$$)が得られる。また、非基底面は(0001)Si面に形成したトレンチの側壁に現れるため、低オン抵抗のトレンチMOSFETに直接適用可能である。それらの利点にも関わらず、非基底面上MOSデバイスの電気特性は十分に調査されていない。本研究では、特にm面に焦点を当て、MOSデバイスの物理的および電気的特性を詳細に調査した。

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